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Banco de teste de sensor fotoelétrico【GL-998G】

A bancada de testes de sensores fotoelétricos GL998G é um instrumento experimental de ensino fotoelétrico lançado pela nossa empresa para satisfazer as necessidades de conteúdo de ensino de fotoelétrica em optoelectrónica, engenharia da informação, tecnologia electrónica física e outras áreas. É o equipamento básico para a realização de experiências sobre as características e aplicações dos dispositivos fotossensíveis e dos sensores fotoelétricos, sendo o instrumento experimental básico para a tecnologia optoelectrónica.

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Descrição


   GL998G Banco de teste de sensor fotoelétrico


A bancada de testes de sensores fotoelétricos GL998G é um instrumento experimental de ensino fotoelétrico lançado pela nossa empresa para satisfazer as necessidades de conteúdos de ensino de fotoelectrónica em áreas como a optoelectrónica, a engenharia da informação e a tecnologia física electrónica. É o equipamento básico para a realização de experiências sobre as características e aplicações dos dispositivos fotossensíveis e dos sensores fotoelétricos, além de ser o instrumento experimental básico para a tecnologia optoelectrónica.

Ⅰ. Configuração da bancada de testes do sensor fotoelétrico GL998G

1. Fotocélula de silício (COV: 300 mV, ID < 1×10-8 μA, ISC: 5 μA, λ: 300-1000 nm, λp: 880 nm)

2. Fotodíodo (Vr: 20 V, ID < 0,1 μA, IL: 50 μA, TR tf: 10 ns λp: 880 nm)

3. Fototransistor (VCEO: 50 V, ID < 0,1 μA, IL: 5 mA, TR tf: 15 ns λp: 880 nm)

4. Fotorresistor (fotorresistor cds, potência nominal: 100 mW, resistência no escuro ≥ 1MΩ, tr 20mS, tf 30mS, λp: 580nm)

5. Optoacoplador reflexivo (entrada: IFM = 20mA, VR = 5V, VF = 1,3V, saída: VCEO = 30V, ICEO = 0,1μA, VCES = 0,4V, características de transmissão: CTR (%) = 5, tr tf: 5us)

6. Sonda piroelétrica infravermelha

7. Sonda fotómetro

8. Fibra ótica tipo Y

9. Laser semicondutor (comprimento de onda: 635um, potência de 1 a 3mW)

10. Lâmpada incandescente comum

11. Díodo emissor de luz comum

12. Díodo emissor de infravermelhos (VR: 5V, VF: 1,4V, IR: 10uA, PO: 2mW)

13. Sensor de posição PSD

Ⅱ. Projeto Experimental

1. Experiência com característica de fotodíodo

2. Experiência com fotoresistor

3. Experiência com característica de fototransistor

4. Experiência de conhecimentos básicos em fotoeletricidade

5. Experiência com fotocélula

6. Experiência com chave fotoelétrica de transmissão

7. Experiência com chave fotoelétrica de reflexão de infravermelhos

8. Experiência com sensor de deslocamento de fibra ótica

9. Experiência com sensor de posição PSD

10. Experiência com fonte de luz e modulação e desmodulação de luz

11. Experiência com sensor infravermelho piroelétrico

GL998G图400400.jpg

Versão síncrona para PC:

GL998G Banco de teste de sensor fotoelétricohttp://porbiisun.biisun.hfcfwl.com/home/category/detail/id/129.html



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